Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
n-epilayer — elektroninis epitaksinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic epilayer; n epilayer vok. n Epischicht, f rus. эпитаксиальный слой n типа, m; эпитаксиальный слой с электронной проводимостью, m pranc. couche… … Radioelektronikos terminų žodynas
couche épitaxiale type n — elektroninis epitaksinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic epilayer; n epilayer vok. n Epischicht, f rus. эпитаксиальный слой n типа, m; эпитаксиальный слой с электронной проводимостью, m pranc. couche… … Radioelektronikos terminų žodynas
elektroninis epitaksinis sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic epilayer; n epilayer vok. n Epischicht, f rus. эпитаксиальный слой n типа, m; эпитаксиальный слой с электронной проводимостью, m pranc. couche épitaxiale type n, f … Radioelektronikos terminų žodynas
n-Epischicht — elektroninis epitaksinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic epilayer; n epilayer vok. n Epischicht, f rus. эпитаксиальный слой n типа, m; эпитаксиальный слой с электронной проводимостью, m pranc. couche… … Radioelektronikos terminų žodynas
эпитаксиальный слой n-типа — elektroninis epitaksinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic epilayer; n epilayer vok. n Epischicht, f rus. эпитаксиальный слой n типа, m; эпитаксиальный слой с электронной проводимостью, m pranc. couche… … Radioelektronikos terminų žodynas
эпитаксиальный слой с электронной проводимостью — elektroninis epitaksinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electronic epilayer; n epilayer vok. n Epischicht, f rus. эпитаксиальный слой n типа, m; эпитаксиальный слой с электронной проводимостью, m pranc. couche… … Radioelektronikos terminų žodynas
Wafer (electronics) — Polished 12 and 6 silicon wafers. The flat cut into the right wafer indicates its doping and crystallographic orientation (see below) … Wikipedia
Mercury(II) cadmium(II) telluride — HgCdTe or mercury cadmium telluride (also cadmium mercury telluride, MCT or CMT) is an alloy of CdTe and HgTe and is sometimes claimed to be the third semiconductor of technological importance after silicon and gallium(III) arsenide. The amount… … Wikipedia
Mercury cadmium telluride — HgCdTe or mercury cadmium telluride (also cadmium mercury telluride, MCT or CMT) is an alloy of CdTe and HgTe and is sometimes claimed to be the third semiconductor of technological importance after silicon and gallium(III) arsenide. The amount… … Wikipedia
